標準化研究院生產的日立S3400N掃描電子顯微鏡

1、儀器簡介:

英文名稱：scanning electron microscope;SEM

定義1： 用電子探針對樣品表面掃描使其成像的電子顯微鏡。

定義2： 應用電子束在樣品表面掃描激發(fā)二次電子成像的電子顯微鏡。主要用于研究樣品表面的形貌與成分。

掃描電子顯微鏡的制造是依據電子與物質的相互作用。當一束高能的人射電子轟擊物質表面時，被激發(fā)的區(qū)域將產生二次電子、俄歇電子、特征x射線和連續(xù)譜X射線、背散射電子、透射電子，以及在可見、紫外、紅外光區(qū)域產生的電磁輻射。同時，也可產生電子-空穴對、晶格振動 (聲子)、電子振蕩 (等離子體)。原則上講，利用電子和物質的相互作用，可以獲取被測樣品本身的各種物理、化學性質的信息，如形貌、組成、晶體結構、電子結構和內部電場或磁場等等。掃描電子顯微鏡正是根據上述不同信息產生的機理，采用不同的信息檢測器，使選擇檢測得以實現。如對二次電子、背散射電子的采集，可得到有關物質微觀形貌的信息;對x射線的采集，可得到物質化學成分的信息。正因如此，根據不同需求，可制造出功能配置不同的掃描電子顯微鏡。

2、主要應用:

(1)生物：種子、花粉、**……

(2)醫(yī)學：血球、病毒……

(3)動物：大腸、絨毛、細胞、纖維……

(4)材料：陶瓷、高分子、粉末、環(huán)氧樹脂……

(5)化學、物理、地質、冶金、礦物、污泥(桿菌) 、機械、電機及導電性樣品，如半導體(IC、線寬量測、斷面、結構觀察……)電子材料等。

3、設備照片:

日立S3400N儀器照片

日立S3400儀器結構圖

4、儀器的主要特性：

二次電子分辨率：小于3.5nm(30kV，高真空)、小于10nm(3kV，低真空)，背散射電子分辨率：小于5.0nm(30kV，低真空);

放大倍數：20倍～300000倍;

真空度：高真空≤1Pa，低真空：6～270Pa;

加速電壓：0.5～30kV，連續(xù)可調;

圖片存儲：640×480～5120×3840pixels多種規(guī)格。

5、儀器的主要附件：

樣品盤，樣品盤螺絲，鎖扣，高度尺，BNC帽，C型鑷子，死口板子，一字微型螺絲刀，內六角扳手，離子濺射儀，自動XY調節(jié)附件。

6、設備基本信息: